Número de Producto del Fabricante:
TSM1NB60LCW RPG
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM1NB60LCW RPG-DG
Descripción:
600V, 0.55A, SINGLE N-CHANNEL PO
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 230mA (Ta), 550mA (Tc) 10.4W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventario:
5000 Pcs Nuevos Originales En Stock
13240511
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ENVIAR
TSM1NB60LCW RPG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
230mA (Ta), 550mA (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
15Ohm @ 270mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
98 pF @ 300 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
10.4W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-223
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
1801-TSM1NB60LCWRPGCT
1801-TSM1NB60LCWRPGTR
1801-TSM1NB60LCWRPGDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Certificación DIGI
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